IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 37 A 780 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 804-7571
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-374
Herst. Teile-Nr.:: IXFN44N80Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 37 A 780 W, 4-Pin SOT-227

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IXFN44N80Q3, HiperFET Power MOSFET, Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	37 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	SOT-227
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	190 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	780 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	25.07mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	185 nC @ 10 V
Länge	38.23mm
Höhe	9.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 37 A 780 W, 4-Pin SOT-227

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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