IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264

RS Best.-Nr.:: 168-4696
Herst. Teile-Nr.:: IXFB82N60Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264

Preis pro Stück (In einer Stange von 25)**

36,618 €

(ohne MwSt.)

43,575 €

(inkl. MwSt.)

Voraussichtlich ab 23.10.2025 verfügbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Stange**
25 +	36,618 €	915,45 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 168-4696
Herst. Teile-Nr.:: IXFB82N60Q3
Marke:: IXYS

IXFB82N60Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	82 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	PLUS264
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	75 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	1,56 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	20.29mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	275 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	26.59mm

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

Verwandte Produkte