IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX32N80Q3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 32 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

RS Best.-Nr.:: 168-4717
Herst. Teile-Nr.:: IXFX32N80Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX32N80Q3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 32 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

Voraussichtlich ab 12.06.2025 verfügbar.

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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

27,128 €

(ohne MwSt.)

32,282 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 +	27,128 €	813,84 €

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RS Best.-Nr.:: 168-4717
Herst. Teile-Nr.:: IXFX32N80Q3
Marke:: IXYS

IXFK32N80Q3, IXFX32N80Q3, HiperFET Power MOSFET, Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	32 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	PLUS247
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	270 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6V
Verlustleistung max.	1 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	5.21mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.13mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	140 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	21.34mm

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX32N80Q3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 32 A 1 kW, 3-Pin PLUS247

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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