IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 146-4231
Herst. Teile-Nr.:: IXFA80N25X3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 146-4231
Herst. Teile-Nr.:: IXFA80N25X3
Marke:: IXYS

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	250 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HiperFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	16 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	390 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	83 @ 10 V nC
Länge	10.41mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	11.05mm
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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