IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin IXFA80N25X3 TO-263

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RS Best.-Nr.:
146-4231
Herst. Teile-Nr.:
IXFA80N25X3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

HiperFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

83nC

Durchlassspannung Vf

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

390W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

11.05 mm

Länge

10.41mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg

Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit

Überlegene Durchbruchfähigkeit

Gehäuse nach internationaler Norm

Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge

Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen

Motorsteuerung

DC/DC-Konverter

Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Elektrisch betriebene Gabelstapler

Audioverstärker der Klasse D

Telekommunikationssysteme

Hohe Effizienz

Hohe Leistungsdichte

Erhöhte Systemzuverlässigkeit

Einfache Integration

200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern

Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung

12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul

Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS

microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression

CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren

SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe

Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG

10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle

Erweiterter Speicherschutz

2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash )

640 KB SRAM-Speicher

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