IXYS Linear L2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 178 A 830 W, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
168-4584
Herst. Teile-Nr.:
IXTN200N10L2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

178A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

Linear L2

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

540nC

Maximale Verlustleistung Pd

830W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

38.23mm

Breite

25.07 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit.

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