IXYS Linear L2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 178 A 830 W, 4-Pin IXTN200N10L2 SOT-227

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RS Best.-Nr.:
125-8048
Herst. Teile-Nr.:
IXTN200N10L2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

178A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

Linear L2

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

540nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

830W

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.6mm

Länge

38.23mm

Breite

25.07 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear


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