IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN360N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 168-4577
Herst. Teile-Nr.:: IXFN360N10T
Marke:: IXYS

IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN360N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227

2005 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 10)

24,448 €

(ohne MwSt.)

29,093 €

(inkl. MwSt.)

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RS Best.-Nr.:: 168-4577
Herst. Teile-Nr.:: IXFN360N10T
Marke:: IXYS

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	360 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	GigaMOS Trench HiperFET
Gehäusegröße	SOT-227
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	2,6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	830 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	38.23mm
Breite	25.07mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	525 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.6mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V