IXYS Einfach GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 250 V Erweiterung / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD

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RS Best.-Nr.:
146-1770
Herst. Teile-Nr.:
MMIX1F180N25T
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

132A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Gehäusegröße

SMPD

Montageart

SMD

Pinanzahl

24

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

570W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

25.25mm

Breite

23.25 mm

Höhe

5.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
DE

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM


MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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