IXYS Einfach GigaMOS, HiperFET Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 250 V Erweiterung / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

45,05 €

(ohne MwSt.)

53,61 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 14. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 445,05 €
5 - 936,73 €
10 - 1935,72 €
20 - 3934,60 €
40 +33,74 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
875-2481
Herst. Teile-Nr.:
MMIX1F180N25T
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

132A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

24

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

570W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

25.25mm

Breite

23.25 mm

Höhe

5.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM GigaMOSTM


MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links