IXYS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 600 A 830 W, 24-Pin SMPD

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 20 Stück)*

441,32 €

(ohne MwSt.)

525,18 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 80 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
20 +22,066 €441,32 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-4791
Herst. Teile-Nr.:
MMIX1T600N04T2
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

600A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SMPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

24

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

830W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

590nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

25.25mm

Höhe

5.7mm

Breite

23.25 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™


MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links