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    IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1T600N04T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 600 A 830 W, 24-Pin SMPD

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    RS Best.-Nr.:
    168-4791
    Herst. Teile-Nr.:
    MMIX1T600N04T2
    Marke:
    IXYS
    Ursprungsland:
    DE
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.600 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    SerieGigaMOS, HiperFET
    GehäusegrößeSMPD
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl24
    Drain-Source-Widerstand max.1,3 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3.5V
    Verlustleistung max.830 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge25.25mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Breite23.25mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs590 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung1.2V
    Höhe5.7mm

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