IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

RS Best.-Nr.:: 875-2500
Herst. Teile-Nr.:: MMIX1T550N055T2
Marke:: IXYS

IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD

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Herst. Teile-Nr.:: MMIX1T550N055T2
Marke:: IXYS

MMIX1T550N055T2, TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel 55V 550A SMPD
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	550 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	GigaMOS, HiperFET
Gehäusegröße	SMPD
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	24
Drain-Source-Widerstand max.	1,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.8V
Verlustleistung max.	830 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	25.25mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	595 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	23.25mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	5.7mm

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™

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