IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1F520N075T2 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 500 A 830 W, 24-Pin SMPD

RS Best.-Nr.:: 875-2471
Herst. Teile-Nr.:: MMIX1F520N075T2
Marke:: IXYS

IXYS GigaMOS, HiperFET MMIX1F520N075T2 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 500 A 830 W, 24-Pin SMPD

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück

22,69 €

(ohne MwSt.)

27,00 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 4	22,69 €
5 - 9	20,37 €
10 - 19	19,49 €
20 - 79	18,56 €
80 +	17,27 €

RS Best.-Nr.:: 875-2471
Herst. Teile-Nr.:: MMIX1F520N075T2
Marke:: IXYS

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	500 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Serie	GigaMOS, HiperFET
Gehäusegröße	SMPD
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	24
Drain-Source-Widerstand max.	1,6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	830 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	25.25mm
Breite	23.25mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	545 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.25V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	5.7mm