IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 310 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
125-8042
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-371
Herst. Teile-Nr.:
IXFN360N15T2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

310A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.07kW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

715nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.6mm

Länge

38.23mm

Breite

25.07 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™


MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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