IXYS HiperFET IXFN36N100 N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 36 A 700 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 168-4473
Herst. Teile-Nr.:: IXFN36N100
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET IXFN36N100 N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 36 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Voraussichtlich ab 06.11.2024 verfügbar.

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Preis pro Stück (In einer Stange von 10)

62,675 €

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(inkl. MwSt.)

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10 +	62,675 €	626,75 €

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RS Best.-Nr.:: 168-4473
Herst. Teile-Nr.:: IXFN36N100
Marke:: IXYS

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	36 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Serie	HiperFET
Gehäusegröße	SOT-227
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	240 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	700 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	38.23mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	25.42mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	380 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	9.6mm