Fuji Electric Super J-MOS FMW79N60S1HF N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 68 A 545 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
168-4682
Herst. Teile-Nr.:
FMW79N60S1HF
Marke:
Fuji Electric
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Marke

Fuji Electric

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

68 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

40 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

545 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

203 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.9mm

Breite

5.03mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

20.95mm

Serie

Super J-MOS

Ursprungsland:
JP