IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin TO-264

RS Best.-Nr.:: 168-4701
Herst. Teile-Nr.:: IXFK24N100Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin TO-264

Voraussichtlich ab 27.06.2025 verfügbar.

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24,414 €

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RS Best.-Nr.:: 168-4701
Herst. Teile-Nr.:: IXFK24N100Q3
Marke:: IXYS

IXFK24N100Q3, IXFX24N100Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	24 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Gehäusegröße	TO-264
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	440 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	1 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.13mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	140 nC @ 10 V
Länge	19.96mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	26.16mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin TO-264

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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