- RS Best.-Nr.:
- 801-1424
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK64N50Q3
- Marke:
- IXYS
Voraussichtlich ab 06.11.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück
26,09 €
(ohne MwSt.)
31,05 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
---|---|
1 - 4 | 26,09 € |
5 - 9 | 23,46 € |
10 - 24 | 22,46 € |
25 + | 20,74 € |
- RS Best.-Nr.:
- 801-1424
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK64N50Q3
- Marke:
- IXYS
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3
Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 64 A |
Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
Serie | HiperFET, Q3-Class |
Gehäusegröße | TO-264 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 85 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 6.5V |
Verlustleistung max. | 1 kW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Breite | 5.13mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 19.96mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 26.16mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Verwandte Produkte
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFX64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V /...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK48N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK32N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V /...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFN100N50Q3 N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH30N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFR64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 45...