IXYS HiperFET, Polar3 IXFH60N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 60 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-4730
Herst. Teile-Nr.:: IXFH60N50P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFH60N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 60 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

9,096 €

(ohne MwSt.)

10,824 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	9,096 €	272,88 €
60 - 120	8,641 €	259,23 €
150 +	8,186 €	245,58 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-4730
Herst. Teile-Nr.:: IXFH60N50P3
Marke:: IXYS

Mehr Infos und technische Dokumente

IXFT60N50P3, IXFQ60N50P3, IXFH60N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	HiperFET, Polar3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,04 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	96 nC @ 10 V
Länge	16.26mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	21.46mm