IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 802-4388
Herst. Teile-Nr.:: IXFH50N60P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247

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IXFT50N60P3, IXFQ50N60P3, IXFH50N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	145 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,04 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	94 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	16.26mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	21.46mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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