IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-4731
Herst. Teile-Nr.:: IXFH50N60P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

8,981 €

(ohne MwSt.)

10,687 €

(inkl. MwSt.)

20 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 +	8,981 €	269,43 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-4731
Herst. Teile-Nr.:: IXFH50N60P3
Marke:: IXYS

IXFT50N60P3, IXFQ50N60P3, IXFH50N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	145 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,04 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	16.26mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	94 nC @ 10 V
Breite	5.3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	21.46mm

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH50N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

Verwandte Produkte