IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 801-1392
Herst. Teile-Nr.:: IXFH70N20Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

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IXFT70N20Q3, IXFH70N20Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	70 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	40 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	690 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	67 nC @ 10 V
Länge	16.26mm
Höhe	16.26mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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