IXYS HiperFET, Polar3 IXFK150N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 150 A 1,3 kW, 3-Pin TO-264

RS Best.-Nr.:: 168-4733
Herst. Teile-Nr.:: IXFK150N30P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFK150N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 150 A 1,3 kW, 3-Pin TO-264

Voraussichtlich ab 09.10.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 25)

18,292 €

(ohne MwSt.)

21,767 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
25 +	18,292 €	457,30 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-4733
Herst. Teile-Nr.:: IXFK150N30P3
Marke:: IXYS

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	150 A
Drain-Source-Spannung max.	300 V
Serie	HiperFET, Polar3
Gehäusegröße	TO-264
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	19 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,3 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	19.96mm
Breite	5.13mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	197 nC @ 10 V
Höhe	26.16mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C