IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 112 A 1,5 kW, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
168-4757
Herst. Teile-Nr.:
IXFN132N50P3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

112 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar3

Montage-Typ

Schraubmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

39 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Verlustleistung max.

1,5 kW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

38.23mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

25.07mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

250 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

9.6mm

Ursprungsland:
US

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