IXYS X2-Class IXTX120N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 kW, 3-Pin PLUS247

RS Best.-Nr.:: 168-4818
Herst. Teile-Nr.:: IXTX120N65X2
Marke:: IXYS

IXYS X2-Class IXTX120N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 kW, 3-Pin PLUS247

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Herst. Teile-Nr.:: IXTX120N65X2
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Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS

Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Intrinsic-Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	PLUS247
Serie	X2-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	23 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	1,25 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	16.13mm
Breite	21.34mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	230 nC bei 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	5.21mm
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Betriebstemperatur min.	–55 °C