- RS Best.-Nr.:
- 917-1485
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP4N65X2
- Marke:
- IXYS
24 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
2,54 €
(ohne MwSt.)
3,02 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
5 + | 2,54 € | 12,70 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 917-1485
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP4N65X2
- Marke:
- IXYS
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS
Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Intrinsic-Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse
Intrinsic-Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Serie | X2-Class |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 850 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 80 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 10.3mm |
Breite | 15.9mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,3 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 4.7mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.4V |
Verwandte Produkte
- IXYS X2-Class IXTP4N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 80 W, 3-Pin TO-220
- IXYS X2-Class IXTP8N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A 150 W,...
- IXYS X2-Class IXTP2N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2 A 55 W, 3-Pin TO-220
- IXYS X2-Class IXTH80N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W,...
- IXYS X2-Class IXTH48N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 48 A 660 W,...
- IXYS X2-Class IXTP8N65X2M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 32 W,...
- IXYS X2-Class IXTH62N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 62 A 780 W,...
- IXYS X2-Class IXTR102N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 54 A 330 W,...