IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
917-1479
Herst. Teile-Nr.:
IXTP8N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

X2-Class

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

500 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.3mm

Breite

15.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.7mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

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