IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2 A 55 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 917-1482
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP2N65X2
- Marke:
- IXYS
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- RS Best.-Nr.:
- 917-1482
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP2N65X2
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | X2-Class | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,3 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 55 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,3 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 15.9mm | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie X2-Class | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,3 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 55 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,3 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 15.9mm | ||
Höhe 4.7mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
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