Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23.8 A 176 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
168-5906
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R160P6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS P6

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Maximale Verlustleistung Pd

176W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.57 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.31mm

Höhe

9.45mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6


MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS™ E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.

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