Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 23.8 A 176 W, 3-Pin IPP60R160P6XKSA1

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Herst. Teile-Nr.:
IPP60R160P6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS P6

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

176W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.45mm

Breite

4.57 mm

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS-Serie ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS P6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.

Einfach zu verwenden/zu treiben

Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

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