Infineon CoolMOS™ P6 IPP60R099P6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A 278 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-5936
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R099P6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ P6 IPP60R099P6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A 278 W, 3-Pin TO-220

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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

3,921 €

(ohne MwSt.)

4,666 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	3,921 €	196,05 €
100 - 200	3,725 €	186,25 €
250 +	3,49 €	174,50 €

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RS Best.-Nr.:: 168-5936
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R099P6XKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6

MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS^™ E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	37,9 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	CoolMOS™ P6
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	99 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	278 W
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.57mm
Länge	10.36mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	70 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	0.9V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	15.95mm