Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A 278 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-5936
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R099P6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 37,9 A 278 W, 3-Pin TO-220

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)**

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Marke:: Infineon

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6

MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS^™ E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.

Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie P6, 37,9 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 278 W maximale Verlustleistung - IPP60R099P6XKSA1

Dieser MOSFET ist auf Hochleistungsanwendungen zugeschnitten, die ein effizientes Power-Management benötigen. Mit einem maximalen Dauer-Drainstrom von 37,9 A und einer Drain-Source-Spannung von 650 V eignet er sich hervorragend für den Einsatz in der Automatisierungs- und Elektronikbranche. Seine N-Kanal-Konfiguration im Anreicherungsmodus ermöglicht effektive Schaltfunktionen, was ihn zu einer bevorzugten Option für Fachleute in der Elektro- und Maschinenbauindustrie macht.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger RDS(on) von 99mΩ verbessert die Schalteffizienz
• Kann bis zu 278 W für verbesserte Haltbarkeit ableiten
• Funktioniert gut bei hohen Temperaturen von bis zu +150°C
• ESD-Schutz über 2 kV gewährleistet zuverlässigen Betrieb
• Geeignet für harte und weiche Schaltanwendungen
• Verpackt in TO-220 für flexible Montageoptionen

Anwendungsbereich

• Einsatz in PFC-Stufen für effiziente Leistungsumwandlung
• Einsetzbar in hart schaltenden PWM-Stufen zur Leistungssteigerung
• Ideal für resonante Schaltstufen in verschiedenen elektronischen Produkten
• Verwendet in Adaptern und Netzteilen für elektronische Geräte
• Wirksam in industriellen Automatisierungssystemen, die eine hohe Leistung erfordern

Was ist der geeignete Gate-Source-Spannungsbereich für den Betrieb?

Der für den Betrieb geeignete Gate-Source-Spannungsbereich liegt zwischen -30V und +30V und gewährleistet ein sicheres und effektives Schalten.

Wie wirkt sich der niedrige RDS(on)-Wert auf die Energieeffizienz aus?

Der niedrige Widerstand verbessert den Wirkungsgrad durch geringere Leitungsverluste, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung während des Betriebs führt.

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung im Betrieb?

Die maximale Verlustleistung im Betrieb beträgt 278 W und ermöglicht eine robuste Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Gibt es besondere Überlegungen für die Verwendung dieser Komponente in Parallelkonfigurationen?

Bei Parallelschaltung ist es ratsam, Ferritperlen am Gate oder separate Totempfähle zu verwenden, um die Leistung zu optimieren und Schwingungen zu minimieren.

Welche Maßnahmen zum Wärmemanagement sollten ergriffen werden?

Zu einem effektiven Wärmemanagement gehören eine angemessene Wärmeableitung und die Überwachung der Temperatur während des Betriebs, um die Leistung innerhalb der vorgegebenen Grenzen zu halten.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	37,9 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	CoolMOS™ P6
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	99 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	278 W
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.36mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	70 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.57mm
Diodendurchschlagsspannung	0.9V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	15.95mm