Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 109 A 278 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 220-7456
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
146,52 €
(ohne MwSt.)
174,36 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 4,884 € | 146,52 € |
| 60 - 120 | 4,639 € | 139,17 € |
| 150 + | 4,444 € | 133,32 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7456
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 109A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 109A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Cool MOS P6 Super Junction MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. Cool MOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf ultimative Leistung konzentrieren, und solchen, die sich mehr auf Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Geringere Gate-Ladung (Q g)
Höhere V des
Gute Robustheit der Gehäusediode
Optimierte integrierte R g.
Verbesserte dv/dt von 50 V/ns
Cool MOS TM-Qualität mit über 12 Jahren Fertigungserfahrung in Super-Junction-Technologie
Verbesserte Effizienz, insbesondere bei geringer Last
Bessere Effizienz in weichen Schaltanwendungen durch frühere Abschaltung
Geeignet für hart- und Soft-Switching-Topologien
Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit und guter Leistung Steuerbarkeit des Schaltverhaltens
Hohe Robustheit und bessere Effizienz
Hervorragende Qualität und Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 4-Pin IPP60R099P6XKSA1
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 4-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R190P6FKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R099C6FKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin IPA60R125P6XKSA1