Infineon CoolMOS™ P6 IPW60R280P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13,8 A, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 218-3089
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R280P6FKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ P6 IPW60R280P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13,8 A, 3-Pin TO-247

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,586 €

(ohne MwSt.)

3,077 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	2,586 €	12,93 €
25 - 45	2,33 €	11,65 €
50 - 120	2,174 €	10,87 €
125 - 245	2,018 €	10,09 €
250 +	1,862 €	9,31 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 218-3089
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R280P6FKSA1
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Datasheet - IPW60R280P6FKSA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600V CoolMOS TM P6. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen für z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und USV verwendet.

Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	13,8 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	CoolMOS™ P6
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,28 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon CoolMOS™ P6 IPW60R280P6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13,8 A, 3-Pin TO-247

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