Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13.8 A 104 W, 3-Pin TO-247

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218-3089
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R280P6FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS P6

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.13mm

Breite

5.21 mm

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600V CoolMOS TM P6. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen für z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und USV verwendet.

Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

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