Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19.2 A 151 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9075
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
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| 3000 + | 0,90 € | 2.700,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9075
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 151W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 151W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
600 V CoolMOSaP6-Leistungs-Transistor
Die CoolMOSTM P6-Superjunction-MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. CoolMOSTM P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Zusammenfassung der Merkmale
Vorteile
Anwendungsmöglichkeiten
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