Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19.2 A 151 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9075
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 151W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 151W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Breite 8.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
600 V CoolMOSaP6-Leistungs-Transistor
Die CoolMOSTM P6-Superjunction-MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. CoolMOSTM P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Zusammenfassung der Merkmale
Vorteile
Anwendungsmöglichkeiten
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