Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19.2 A 151 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
13,51 €
(ohne MwSt.)
16,075 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 45 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 2.980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,702 € | 13,51 € |
| 25 - 45 | 2,352 € | 11,76 € |
| 50 - 120 | 2,218 € | 11,09 € |
| 125 - 245 | 2,054 € | 10,27 € |
| 250 + | 1,892 € | 9,46 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 151W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 151W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 8.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
600 V CoolMOSaP6-Leistungs-Transistor
Die CoolMOSTM P6-Superjunction-MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. CoolMOSTM P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Zusammenfassung der Merkmale
Vorteile
Anwendungsmöglichkeiten
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 4-Pin VSON
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 5-Pin VSON