Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19.2 A 151 W, 5-Pin IPL60R210P6AUMA1 VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
13,51 €
(ohne MwSt.)
16,075 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.980 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,702 € | 13,51 € |
| 25 - 45 | 2,352 € | 11,76 € |
| 50 - 120 | 2,218 € | 11,09 € |
| 125 - 245 | 2,054 € | 10,27 € |
| 250 + | 1,892 € | 9,46 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9076
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R210P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 151W | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 151W | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 8.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
600 V CoolMOSaP6-Leistungs-Transistor
Die CoolMOSTM P6-Superjunction-MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. CoolMOSTM P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Zusammenfassung der Merkmale
Vorteile
Anwendungsmöglichkeiten
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 5-Pin IPL60R180P6AUMA1 VSON
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal 5-Pin IPL60R065P7AUMA1 VSON
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R190P6FKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal 3-Pin IPZ60R070P6FKSA1