Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 151 A 201 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7428
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R065P7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 201W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 201W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-MOSFET Cool MOS P7 Super Junction (SJ) von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-Cool-MOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der Plattform Cool MOS der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.
600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG
ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)
Integrierter Torwiderstand RG
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
Ausgezeichnete FOMs RDS(on)xQG/RDS(on)xEoss ermöglichen eine höhere Effizienz
Einfache Verwendung in Fertigungsumgebungen durch Stoppen von ESD-Ausfällen
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien geeignet Wie PFC und LLC
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode In LLC-Topologie
Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und -ausgängen Leistung
Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen
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