Infineon CoolMOS P7 IPW60R045P7XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 206 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-6022
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R045P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
540 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
5,881 €
(ohne MwSt.)
6,998 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 30 - 30 | 5,881 € | 176,43 € |
| 60 - 120 | 5,587 € | 167,61 € |
| 150 + | 5,352 € | 160,56 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 219-6022
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R045P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.
ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)
Integrierter Torwiderstand RG
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
Integrierter Torwiderstand RG
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 206 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Serie | CoolMOS P7 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,045 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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