Infineon Typ N-Kanal, Durchsteckmontage 650 V Erweiterung / 78 A, 4-Pin TO-247-4

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7468
Herst. Teile-Nr.:
IPZA60R120P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

78A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Der Infineon 600V Cool MOS P7 Super Junction (SJ) MOSFET ist der Nachfolger der 600V Cool MOS P6 Serie. Er sorgt weiterhin für eine Balance zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Entwurfsprozess. Das beste R onxA der Klasse und die inherent niedrige Gate-Ladung (Q G) der Cool MOS-Plattform der 7. Generation sorgen für eine hohe Effizienz.

600V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM-Klasse 2)

Integrierter Gate-Widerstand RG

Robuste Gehäuse-Diode

Breites Portfolio in Durchgangsbohrungs- und Oberflächenmontagegehäusen

Sowohl Standard- als auch Industrie-Teile sind erhältlich

Ausgezeichnete FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss ermöglichen höhere Effizienz

Einfache Bedienung in Fertigungsumgebungen durch Verhinderung von ESD-Ausfällen

Integriertes RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit

MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie PFC und LLC

Ausgezeichnete Robustheit bei hartem Umschalten der Gehäusediode in der LLC-Topologie

Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und Ausgangsleistungen

Für Verbraucher- und Industrieanwendungen geeignete Teile erhältlich