Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, Durchsteckmontage 650 V Erweiterung / 78 A, 4-Pin TO-247-4

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RS Best.-Nr.:
220-7467
Herst. Teile-Nr.:
IPZA60R120P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

78A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS™ P7

Gehäusegröße

TO-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V Cool MOS P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM RDS(on)xEoss and RDS(on)xQG

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor RG

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Excellent FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss enable higher efficiency

Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC

Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology

Suitable for a wide variety of end applications and output powers

Parts available suitable for consumer and industrial applications

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