Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
219-5982
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R600P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die optimierten Superjunction-MOSFETs Infineon 600V CoolMO P7, die eine hohe Energieeffizienz mit Benutzerfreundlichkeit vereinen, sind der Nachfolger der Serie 600V CoolMOS P6. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

MOSFET ist sowohl für harte als auch resonante Schalttopologien wie PFC und LLC geeignet

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Gehäusediode in LLC-Topologie

Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und Ausgangsleistungen

Verfügbare Teile für Verbraucher- und industrielle Anwendungen

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