Infineon CoolMOS™ P7 IPA60R180P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP

Die Infineon CoolMOS 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600-V-CoolMOS-P7-Serie ist der Nachfolger der CoolMOS-P6-Serie. Er kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr niedriger Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Gehäusediode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und viel kühler.

Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
Geeignet für hartes und weiches Schalten aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit