Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 29 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-8993
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R060P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 48 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPA60R060P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in Durchsteckmontagen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und ist im Enhancement-Channel-Modus konfiguriert, um den Stromfluss in Stromkreisen zu steuern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 48 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine erhebliche Lastverarbeitung
• 60 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter normalen Bedingungen
• Die Verlustleistung von 29 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Die Durchlassspannung von 0,9 V reduziert den Spannungsabfall während der Leitung
• 30-V-Gate-Source-Grenzwert für gängige Gate-Treiber-Spannungen
• 48 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine erhebliche Lastverarbeitung
• 60 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter normalen Bedingungen
• Die Verlustleistung von 29 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Die Durchlassspannung von 0,9 V reduziert den Spannungsabfall während der Leitung
• 30-V-Gate-Source-Grenzwert für gängige Gate-Treiber-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Kühlkörpern in Stromversorgungsbaugruppen mit Durchsteckbohrung verwendet
• Kann für Hochspannungs-LED-Treiberkreise verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prüfbank-Leistungselektronik
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Kühlkörpern in Stromversorgungsbaugruppen mit Durchsteckbohrung verwendet
• Kann für Hochspannungs-LED-Treiberkreise verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prüfbank-Leistungselektronik
Welche Befestigungsmöglichkeit hat er?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage vorgesehen ist.
Welche Polarität und welche Betriebsart sind zu erwarten?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus für eine gate-gesteuerte Leitungsleitung arbeitet.
Welchen thermischen Extremen kann er standhalten?
Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und +150 °C ausgelegt.
Wie hoch ist die maximale Gate-Spannung, die nicht überschritten werden darf?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten.
Ist diese Komponente für die Einhaltung von Automobilstandards spezifiziert?
Es ist nicht als Kfz-Standardkomponente bezeichnet.
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