- RS Best.-Nr.:
- 214-8999
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
1,879 €
(ohne MwSt.)
2,236 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
50 - 50 | 1,879 € | 93,95 € |
100 - 200 | 1,503 € | 75,15 € |
250 - 450 | 1,409 € | 70,45 € |
500 - 950 | 1,315 € | 65,75 € |
1000 + | 1,221 € | 61,05 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 214-8999
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon CoolMOS 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600-V-CoolMOS-P7-Serie ist der Nachfolger der CoolMOS-P6-Serie. Er kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr niedriger Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Gehäusediode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und viel kühler.
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
Geeignet für hartes und weiches Schalten aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Geeignet für hartes und weiches Schalten aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Gehäusegröße | TO-220 FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,28 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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