- RS Best.-Nr.:
- 214-9000
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 40 | 1,879 € | 18,79 € |
50 - 90 | 1,785 € | 17,85 € |
100 - 240 | 1,71 € | 17,10 € |
250 - 490 | 1,634 € | 16,34 € |
500 + | 1,522 € | 15,22 € |
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- 214-9000
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon CoolMOS 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600-V-CoolMOS-P7-Serie ist der Nachfolger der CoolMOS-P6-Serie. Er kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr niedriger Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Gehäusediode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und viel kühler.
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
Geeignet für hartes und weiches Schalten aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Geeignet für hartes und weiches Schalten aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-220 FP |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,28 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
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