Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 31 A 117 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 215-2539
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R099P7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 31 A 117 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 215-2539
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R099P7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	31A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	CoolMOS P7
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	99mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	45nC
	Maximale Verlustleistung Pd	117W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.36mm
	Höhe	4.57mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie CoolMOS P7
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC
	Maximale Verlustleistung Pd 117W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.36mm
	Höhe 4.57mm
	Automobilstandard Nein

Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie P7, 31 A kontinuierlicher Drain-Strom, 600 V Drain-Source-Spannung - IPP60R099P7XKSA1

Dieser MOSFET ist ein Hochleistungs-Leistungsbauteil, das speziell für Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 31 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 600 V ist er in einem TO-220-Gehäuse untergebracht und eignet sich somit für die Durchsteckmontage. Dank seiner außergewöhnlichen Spezifikationen eignet er sich ideal für fortschrittliche elektronische Designs in verschiedenen Branchen.

Eigenschaften und Vorteile

• Geeignet für harte und weiche Schaltungen

• Erhebliche Reduzierung der Schalt- und Leitungsverluste

• Ausgezeichnete robuste Body-Diode für harte Kommutierung

• Hoher ESD-Schutz von mehr als 2 kV für zuverlässige Leistung

• Die Konfiguration im Erweiterungsmodus vereinfacht das Schaltungsdesign

Anwendungen

• Ideal für PFC-Stufen (Leistungsfaktorkorrektur)

• Verwendet bei hart schaltender PWM (Pulsweitenmodulation)

• Einsetzbar in resonanten Schaltstufen für verschiedene Elektronik

• Geeignet für Adapter und LCD/PDP-Fernseher

• Verwendet in Beleuchtungslösungen, Serverausrüstung und Telekommunikationssystemen

Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on)-Wert bei diesem Gerät?

Der niedrige RDS(on)-Wert von 0,099 Ohm minimiert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz der Leistungsumwandlung in Anwendungen, bei denen Wärmeentwicklung ein Problem darstellt.

Welchen Einfluss hat der Arbeitstemperaturbereich auf die Leistung?

Er arbeitet effektiv zwischen -55°C und +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit und Stabilität auch unter extremen Bedingungen, wodurch er für verschiedene Umgebungen geeignet ist.

Kann es in parallelen Konfigurationen verwendet werden?

Ja, bei parallelen Konfigurationen wird im Allgemeinen die Verwendung von Ferritperlen am Gate oder separaten Totempfählen empfohlen, um Schwingungen zu verhindern und einen stabilen Betrieb zu gewährleisten.