Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Infineon CoolMOS™ P7 IPA70R360P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin TO-220 FP

RS Best.-Nr.:: 214-9005
Herst. Teile-Nr.:: IPA70R360P7SXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ P7 IPA70R360P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin TO-220 FP

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

0,956 €

(ohne MwSt.)

1,138 €

(inkl. MwSt.)

5500 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	0,956 €	47,80 €
100 - 200	0,822 €	41,10 €
250 - 450	0,774 €	38,70 €
500 - 1200	0,717 €	35,85 €
1250 +	0,679 €	33,95 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 214-9005
Herst. Teile-Nr.:: IPA70R360P7SXKSA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IPA70R360P7SXKSA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.

Es hat ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Er wird mit integrierter ESD-Schutzdiode geliefert

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12,5 A
Drain-Source-Spannung max.	700 V
Serie	CoolMOS™ P7
Gehäusegröße	TO-220 FP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,36 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1