Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-4392
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Breite | 6.42mm | |
| Länge | 6.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59.5W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Breite 6.42mm | ||
Länge 6.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V Drain-Source-Spannung, 12,5 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70R360P7SAUMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Schaltleistungsumwandlung und andere Leistungsmanagementfunktionen entwickelt wurde. Es handelt sich um eine oberflächenmontierte Komponente, die für Anwendungen vorgesehen ist, bei denen eine robuste Spannungsblockierung und Schaltfunktion in kompakten Baugruppen erforderlich ist. Das Gerät arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und unterstützt typische Gate-Drive-Spannungen für Leistungselektronikanwendungen.
Merkmale und Vorteile:
• 700 V Blockierfähigkeit ermöglicht Hochspannungsdesigns
• 12.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• RDS(on) 360 mΩ minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 59,5 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• Gate-Ladung 16,4 nC reduziert Schaltenergieverluste
• VVGS-Bewertung ±16 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannen
• 12.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• RDS(on) 360 mΩ minimiert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 59,5 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• Gate-Ladung 16,4 nC reduziert Schaltenergieverluste
• VVGS-Bewertung ±16 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Primärschalter
• Ideal für industrielle Stromwandlerstufen
• Wird mit Flyback- und Forward-Topologien in Versorgungen verwendet
• Kann für Frontenden mit Leistungsfaktorkorrektur verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsprüfungen und Laboreinrichtungen
• Ideal für industrielle Stromwandlerstufen
• Wird mit Flyback- und Forward-Topologien in Versorgungen verwendet
• Kann für Frontenden mit Leistungsfaktorkorrektur verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsprüfungen und Laboreinrichtungen
Welchen Temperaturbereich verträgt das Gerät im Betrieb?
Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.
Welches Gehäuse sollte ich für das Board-Layout erwarten?
Das Teil wird in einem oberflächenmontierbaren TO-252-Gehäuse mit drei Pins geliefert, das eine einfache Integration in die Leiterplatten ermöglicht.
Welche Vorwärtsleitungscharakteristik hat das Schalten?
Die Durchlassspannung beträgt 0,9 V, was die Berechnung des Leitungsverlusts während des Einschaltbetriebs beeinflusst.
Wie sollte Gate-Drive-Design das Schaltverhalten berücksichtigen?
Verwenden Sie die typische Gate-Ladung von 16,4 nC, um den Treiberstrom und das Schaltzeit für die gewünschten Übergangsgeschwindigkeiten zu messen.
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