Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 26.5 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 215-2489
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN70R360P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
28,88 €
(ohne MwSt.)
34,36 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 460 Einheit(en) mit Versand ab 24. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 1,444 € | 28,88 € |
| 40 - 80 | 1,372 € | 27,44 € |
| 100 - 180 | 1,314 € | 26,28 € |
| 200 - 480 | 1,256 € | 25,12 € |
| 500 + | 1,169 € | 23,38 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2489
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN70R360P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 700V Cool MOS TM P7 Super Junction MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien grundlegende Leistungsverbesserungen. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können. Die neueste CoolMOS\P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Verwandte Links
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin IPAK
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-223
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220