Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

860,00 €

(ohne MwSt.)

1.022,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 - 25000,344 €860,00 €
5000 +0,326 €815,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-4391
Herst. Teile-Nr.:
IPD70R360P7SAUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

59.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.4nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.35mm

Breite

6.42 mm

Länge

6.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon-700-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter geeignet und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen.

Es unterstützt weniger magnetische Größen mit geringeren BOM-Kosten

Er verfügt über eine hohe ESD-Robustheit

Verwandte Links