Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4393
Herst. Teile-Nr.:
IPD70R900P7SAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

30.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.42 mm

Höhe

2.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.65mm

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-39-408

Die Infineon-700-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter geeignet und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen.

Es unterstützt weniger magnetische Größen mit geringeren BOM-Kosten

Er verfügt über eine hohe ESD-Robustheit

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