Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin IPD70R900P7SAUMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD70R900P7SAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

700V CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.8nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

30.5W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.65mm

Breite

6.42 mm

Höhe

2.35mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon-700-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter geeignet und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen.

Es unterstützt weniger magnetische Größen mit geringeren BOM-Kosten

Er verfügt über eine hohe ESD-Robustheit

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